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網(wǎng)站首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 東芯半導(dǎo)體(Dosilicon)

PPI NAND Flash

東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,總部位于上海,在深圳、南京、、中國(guó)香港、韓國(guó)均設(shè)有分公司或子公司,矢志成為前列的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司,服務(wù)全球客戶。作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。
PPI NAND Flash

PPI NAND Flash

兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn),高可靠性。可提供容量從1Gb到8Gb, 3.3V/1.8V兩種電壓,多種封裝方式的產(chǎn)品,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景。在網(wǎng)絡(luò)通信,智能音箱,安防監(jiān)控,機(jī)頂盒等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。


規(guī)格:Specification:
電壓/Voltage1.8V,3.3V
溫度/Temperature-40℃—85℃/105℃
容量/Density1Gb / 2Gb / 4Gb/ 8Gb
封裝/PackageTSOP48,VFBGA63,
VFBGA67
速度/Speed20ns/25ns,30ns/45ns
線寬/Width*8/ *16


typePart NumberDensityVoltageSpeed(MHz/CLK)Temp. RangePKG TypeDatasheet

PPI NAND

FMND1G08S3D-IA

1Gb

1.8V

45ns

-40℃~85℃

TSOP 48(12*20mm)

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FMND1G08S3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND1G08S3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

FMND1G08U3D-IA

3.3V

25ns

TSOP 48(12*20mm)

FMND1G08U3D-ID

VFBGA 63(9*11mm)

FMND1G08U3D-IF

VFBGA 67(6.5*8mm)

FMND2G08S3D-IA

2Gb

1.8V

45ns

TSOP 48(12*20mm)

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VFBGA 63(9*11mm)

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3.3V

25ns

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VFBGA 63(9*11mm)

FMND2G08U3D-IF

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DSND2G08U3E-IA

TSOP 48(12*20mm)

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FMND4G08S3B-ID

4Gb

1.8V

30ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08S3B-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08S3C-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08S3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08S3F-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08S3C-ID

45ns

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08S3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08U3B-ID

3.3V

20ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08U3B-IA

TSOP 48(12*20mm)

FMND4G08U3C-ID

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND4G08U3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

DSND4G08U3C-ID

25ns

VFBGA 63(9*11mm)

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DSND4G08U3C-IA

TSOP 48(12*20mm)

DSND8G08S3M-ID

8Gb

1.8V

30ns

VFBGA 63(9*11mm)

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FMND1G08U3D-JA

1Gb

3.3V

25ns

-40℃~105℃

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FMND4G08S3B-A2D

4Gb

1.8V

45ns

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FMND4G08U3F-A2D

3.3V

25ns

VFBGA 63(9*11mm)

DSND8G08S3M-JD

8Gb

1.8V

45ns

VFBGA 63(9*11mm)

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